英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

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CoolSiC™G2具有卓越的动态及静态性能，这源于英飞凌在芯片结构与封装技术上的双重创新。其采用独特的非对称沟槽栅结构，通过特殊晶面优化实现了极低的界面态密度和氧化层陷阱，最大化提升沟道载流子迁移率，为导通电阻的降低奠定了核心基础。在此基础上，G2进一步缩小元胞尺寸，优化纵向结构及掺杂形貌，最终实现了业界领先的单位面积导通电阻（Rdson*A）。

    英飞凌深知不断优化器件性能的同时，取得鲁棒性、可靠性、易用性上的全面升级才是碳化硅技术创新的方向。碳化硅MOSFET的栅氧化层早期失效一直是制约其可靠性的重要因素。CoolSiC™G2独特的非对称沟槽栅结构，使其能够采用相比平面型器件更厚的栅氧化层，因此能使用更高的筛选电压，既能进行更高效的筛查，又能保证不损坏质量合格的器件，最终出厂的SiC器件与Si器件有类似的失效率。基于已出售的G1SiCMOSFET数据积累，CoolSiC™每百万个器件中的缺陷数量甚至低于Si器件。